Кандидат наук по нанотехнологиям The Hong Kong University of Science and Technology

Нанонаука и технологии воспринимаются как одна из важнейших областей, влияющих на человечество в 21 веке. Нанонаука и технологии по своей природе междисциплинарны. Предполагается, что нанотехнология, будучи способной изменять свойства материалов на самом фундаментальном уровне, будет влиять практически на все, от связи до производства энергии, управления окружающей средой, медицины, вычислений и образования. Объем нанонауки и технологических исследований может варьироваться от наноматериалов до компьютерной электроники, медицины и здравоохранения, аэронавтики и космоса, исследований окружающей среды и энергетики, биотехнологии и сельского хозяйства, национальной безопасности и образования.

Дельта Жемчужной реки хорошо организована, чтобы быть одним из мировых центров производства очень разнообразной продукции. Как ведущий город в этом регионе, необходимо, чтобы Гонконг играл ведущую роль в исследованиях, а также в личном обучении для приближающейся волны нанотехнологической революции.

Несмотря на диверсификацию приложений, нанонаука и технологии имеют три четко определенных основных элемента, которые определяют основу нашей программы обучения / исследований. Этими тремя элементами являются изготовление образца, экспериментальное описание и моделирование теории.

Программа Nano Science and Technology (NSNT) , определяемая на основе трех вышеуказанных элементов, направлена ​​на то, чтобы обучить студентов необходимым междисциплинарным знаниям для содействия долгосрочным исследованиям и разработкам на наномасштабных масштабах, что приведет к потенциальным прорывам в таких областях, как как материалы и производство, наноэлектроника, медицина и здравоохранение, окружающая среда, энергия, химические вещества и биотехнология. Эта программа позволяет студентам применять знания в области физической науки к их изучению в области нанонауки и технологии.

Исследовательские фокусы

Департамент концентрирует свои ресурсы на физике конденсированных сред, потенциально имеющих отношение к технологической отрасли. Факультет и аспирантура фокусируются на оптической физике, физике конденсированных сред и статистической физике и включают физику лазеров, твердотельных, мезоскопических систем, устройств, наноматериалов, тонких пленок, поверхностей, интерфейсов, жидких кристаллов, полимеров и композитов.

Область междисциплинарного сотрудничества, которая возникла с годами, - это наноматериалы и нанотехнологии, и Департамент тесно связан с HKUST Институтом нанонауки и технологий Уильяма Монга HKUST . Ниже приведены основные направления исследований, которыми в настоящее время занимается Департамент:

• Первые принципы изучения свойств материала
• Информационная физика
• Наноматериалы
• Физика полупроводников
• Физика атомных, молекулярных и оптических (AMO)
• Физика мягких конденсированных сред
• Сильно коррелированные электронные системы
• Физика поверхности
• Сверхбыстрая фотоника и нелинейная оптика
• Волновые явления и волновые функциональные материалы
• Теория частиц и космология
• Биофизика

Требования к кандидатам

я. Общие требования к поступлению

Соискатели, желающие получить степень доктора наук, должны иметь:

• Получил степень бакалавра с подтвержденными выдающимися достижениями в признанном учебном заведении; или представили доказательства удовлетворительной работы в аспирантуре на постоянной основе не менее одного года или на неполной ставке не менее двух лет.

II. Требования к английскому языку

Вы должны выполнять требования английского языка с одним из следующих достижений:

• TOEFL-iBT: 80 #
• TOEFL-pBT: 550
• TOEFL-Revised Paper-Delivered Test: 60 (общие баллы по разделам чтения, аудирования и письма)
• IELTS (академический модуль): общий балл: 6.5 и все промежуточные баллы: 5.5.

* Если ваш первый язык является английским, а степень бакалавра или эквивалентная квалификация была присуждена учреждением, в котором учебное пособие является английским, вам будет отказано в выполнении вышеуказанных требований английского языка.

# относится к общему количеству баллов за одну попытку

Дополнительную информацию о программе см. На странице pg.ust.hk/programs.