Аспирантура - Физика полупроводников

Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН

Описание программы

Аспирантура - Физика полупроводников

Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН

Аспирантура - Физика полупроводников

Кафедрафизики и технологии наноструктур создана для подготовки научных кадров высшей квалификации в области физики и технологии полупроводниковых наноструктур.

Современное понятие наноструктур включает в себя широкий спектр материалов и приборов, имеющих применения в самых различных областях: от электроники и механики — до биотехнологии.

Основной базой специализированной подготовки молодых ученых, помимо самой кафедры, являются научные лаборатории Академического Университета, ФТИ, Научно-технологического центра микроэлектроники РАН.

Использование в учебном процессе уникальной экспериментальной и технологической базы лабораторий академических институтов создают благоприятные условия для овладения современными исследовательскими и технологическими методами. При этом студенты непосредственно включаются в состав научно-исследовательских групп и имеют возможность практического освоения методов создания наноструктур (например, молекулярно-пучковой эпитаксии), их исследования и диагностики с помощью электронной и туннельной микроскопии, оптической спектрометрии, а также теоретического анализа и моделирования.

Зав.кафедрой: академик Ж.И. Алферов.

На кафедре ведется подготовка по одной аспирантской научной специальности:

"Физика полупроводников" – область фундаментальной и прикладной науки и техники, включающая экспериментальные и теоретические исследования физических свойств полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе (включая гетероструктуры, МОП структуры и барьеры Шоттки), а также происходящих в них физических явлений, разработку и исследование технологических процессов получения полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, создание оригинальных полупроводниковых приборов и интегральных устройств. Значение научных и технических проблем для народного хозяйства, решаемых в рамках специальности, состоит в развитии физических принципов работы, технологий
изготовления и реализации электронных и оптоэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных устройств, используемых практически во всех областях человеческой деятельности.


Область исследования


1. Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.
2. Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе.
3. Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах.
4. Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления.
5. Электронные спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе.
6. Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах.
7. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и в композиционных полупроводниковых структурах.
8. Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства.
9. Неравновесные явления в полупроводниках и структурах. Электронная плазма.
10. Акустические и механические свойства полупроводников и композиционных полупроводниковых структур.
11. Динамика кристаллической решетки. Электрон-фононное взаимодействие.
12. Многочастичные взаимодействия в полупроводниках и композитных структурах.
13. Транспортные и оптические явления в структурах пониженной размерности.
14. Мезоскопические явления в полупроводниках и композитных структурах.
15. Некристаллические полупроводники. Органические полупроводники.
16. Магнитные полупроводники.
17. Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах, технологических процессов и полупроводниковых приборов.
18. Разработка физических принципов работы и создание приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур.
19. Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.


Смежные специальности

  • "Оптика".
  • "Физика конденсированного состояния".
  • "Физика низких температур".
  • "Физика магнитных явлений".
  • "Лазерная физика".
  • "Химия твердого тела".
  • "Силовая электроника".
  • "Приборы и методы измерения по видам измерений".
  • "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы".
  • "Приборы и методы для измерения ионизирующих излучений и рентгеновские приборы".
  • "Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий".
  • "Информационно-измерительные и управляющие системы (по отраслям) ".
  • "Приборы, системы и изделия медицинского назначения".
  • "Приборы и методы преобразования изображений".
  • "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления".
  • "Технология неорганических веществ".
  • "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах".
  • "Квантовая электроника".
  • "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники".



Отрасли наук


технические науки (за исследования по п. 1, 8,17,18,19),
физико-математические науки (во всей области исследований).


Смежными специальностями считать следующие: 01.04.04 – "Физическая электроника".

Язык обучения: русский

Образовательные программы предлагаются на следующих языках:
  • английский


Последнее обновление: January 27, 2018
Сроки и стоимость обучения
Форма обучения: Очная форма
Start Date
Дата начала
Сент. 2019
Duration
Срок обучения
Очная форма
Locations
Российская Федерация - Санкт-Петербург, Sankt-Peterburg
Дата начала : Сент. 2019
Сроки подачи документов Запросить информацию
Дата окончания Запросить информацию